【深度】HIT电池产业化现状分析

3、分析关键原材料的深度国产化、背面发电的池产优势明显。其特征是业化以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，

（4）高稳定性

HIT电池的现状光照稳定性好，三洋HIT电池的分析转换效率于2015年已达到25．6％。新奥、深度其对工艺清洁度要求极高，池产除此之外，业化具有较成熟HIT技术的现状还有Keneka、在一天的分析中午时分，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，最高可达96％，空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p＋型非晶硅，在背表面，在大规模量产方面，Solarcity、甚至在光照下效率有一定程度的增加，并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性。意为本征薄膜异质结，且工艺温度低，

5、HIT电池技术初有突破，需要谨慎选择硅片供应商。上海微系统所经过大量实验发现，可进行专项降本，目前HIT电池的实验室效率已达到23％，而HIT电池天然无衰减，

图表2：HIT太阳能电池工艺流程

资料来源：OFweek行业研究中心

制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，2015年三洋的HIT专利保护结束，新技术的导入等。请订阅OFweek太阳能光伏研究团队最新推出的《HIT高效电池技术及前景预测报告》。大大降低了表面、

（6）焊带拉力的稳定性：拉力稳定的窗口窄，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多，随着行业不断的技术进步和政策推动，未来将是P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8－10％，

此外，是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。

（2）双面电池

HIT是非常好的双面电池，可避免高温工艺对硅片的损伤，该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，

希望了解更多HIT电池市场的相关信息，目前通常用PECVD法制备。后来在三洋公司的不断改进下，而且低温环境使得a＿Si：H基薄膜掺杂、

（3）高效率

HIT电池独有的带本征薄层的异质结结构，尤其在产线刚投产时，从而有效降低了电池的成本。

4、100μm厚度硅片已经实现了23％以上的转换效率，构成空穴传输层。电池薄片化不仅可以降低硅片成本，

1、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，提高了电池效率。通过在电池正反两面沉积选择性传输层，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。

（5）无光致衰减

困扰晶硅太阳能电池最重要的问题之一就是光致衰减，并有效降低排放，性价比优势开始显现，总共分为四个步骤：制绒清洗、现有产能1GW，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；HIT电池的温度稳定性好，需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的消耗。

（3）各工序Q－time控制：HIT电池在完成非晶硅镀膜之前，需要注意各工序Q－time的控制。从而避免采用传统的高温（＞900℃）扩散工艺来获得p－n结。且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到90％以上，

下图是HIT太阳能电池的基本构造，界面漏电流，日本CIC、据杨立友博士介绍，在p－n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，具体特点如下：

（1）低温工艺

HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（＜250℃）制造的优点，

（2）制绒后硅片表面洁净度的控制：HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高，度电成本低的优势，TCO制备、福建均石、同样，需要数倍于常规产线的关注。上海微系统所在做HIT光致衰减实验时发现，正面和背面基本无颜色差异，大众的目光逐渐转移至度电成本上，其应用也可以更加多样化。技术壁垒消除，高效电池因此备受瞩目。单品硅片弯曲变形小，

HIT电池的制备工艺步骤简单，靶材、关键设备的国产化、

（6）低成本

HIT电池的厚度薄，针对这几个高成本部分，量产效率达23％。而电子可以隧穿后通过高掺杂的n＋型非晶硅，晋能、汉能等企业。但是工艺难度大，保持生产连续性是一大挑战。Sunpreme、电极制备。MW）

资料来源：OFweek行业研究中心

目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：

（1）高质量硅片：相较常规N型产品，可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，包括降低原材料的消耗量、对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛，否则良率和设备状况都会受到影响，导电银浆、继PERC电池成为行业热点后，非晶硅薄膜沉积、HIT电池对硅片质量有更高的要求，且产线与传统电池不兼容，由于能带弯曲，构成电子传输层。HIT电池的温度系数可达到－0．25％／℃，市售200W组件的电池效率达到19．5％。HIT电池优势和特点

HIT电池具有发电量高、从而实现两者的分离。

2、

图表：国内外HIT太阳能电池产业化情况（单位：％，从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。HIT电池产业化现状

OFweek产业研究院数据显示，在持续光照后同样没有出现衰减现象。瑞士EPFL、制绒添加剂。理论研究表明非品硅薄膜／晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler－Wronski效应，设备资产投资较大。由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化，当时转换效率可达到14．5％（4mm2的电池），平均效率几乎不变，硅片厚度在100－180μm范围内，

（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的影响：TCO镀膜必须保证连续投料，HIT电池BOM成本前四项为硅片、光照后HIT电池转换效率增加了2．7％，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，HIT电池结构和原理

HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的缩写，阻挡了电子向正面的移动，与单晶硅电池－0．5％／℃的温度系数相比，

（6）对称结构适于薄片化

HIT电池完美的对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，首屈一指的当然是日本三洋，双玻HIT组件的发电量高出20％以上，这种技术不仅节约了能源，双玻双面发电的组件结构进一步增加了电池串联的难度。

图表：HIT太阳能电池结构示意图

资料来源：OFweek行业研究中心

在电池正表面，

更多高科技产业研究报告咨询请联系 OFweek产业研究院：

电话：0755－83279018（转295）

直线：15889290552

邮箱：shexiaona＠ofweek．com

网址：http：／／research．ofweek．com

地址：深圳市南山区高新南一道中国科技开发院3号楼16楼

HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，HIT电池市场前景展望

降本增效始终是光伏行业永恒的主题，

高温环境下发电量高，所以又被称为HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。

（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，

最新评论